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東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支持車載設(shè)備對(duì)更大電流的需求
發(fā)布時(shí)間:2023-02-03 閱讀量:1645 來(lái)源:我愛(ài)方案網(wǎng)整理 作者:我愛(ài)方案網(wǎng)

中國(guó)上海202323——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布推出采用新型L-TOGL?(大型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開(kāi)始出貨。

 

東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支持車載設(shè)備對(duì)更大電流的需求 

 

近年來(lái),隨著社會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車需求的增長(zhǎng),產(chǎn)業(yè)對(duì)能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝,支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu),通過(guò)引入一個(gè)銅夾片將源極連接件和外部引腳一體化。源極引腳采用多針結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的TO-220SM(W)封裝相比,封裝電阻下降大約30%,從而將XPQR3004PB的漏極額定電流DC提高到400A,高出當(dāng)前產(chǎn)品1.6[2]。厚銅框的使用使XPQR3004PB內(nèi)的溝道到外殼熱阻降低到當(dāng)前產(chǎn)品的50%[2]。這些特性有利于實(shí)現(xiàn)更大的電流,并降低車載設(shè)備的損耗。

 

憑借新型封裝技術(shù),新產(chǎn)品可進(jìn)一步簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì),顯著減少半導(dǎo)體繼電器和一體化起動(dòng)發(fā)電機(jī)變頻器等需要大電流的應(yīng)用所需的MOSFET的數(shù)量,進(jìn)而幫助系統(tǒng)縮小設(shè)備尺寸。當(dāng)需要并聯(lián)多個(gè)器件為應(yīng)用提供更大工作電流時(shí),東芝支持這兩款新品分組出貨[3],即按柵極閾值電壓對(duì)產(chǎn)品分組。這樣可以確保設(shè)計(jì)使用同一組別的產(chǎn)品,從而減少特性偏差。

 

因?yàn)檐囕d設(shè)備可能工作在各種溫度環(huán)境下,所以表面貼裝的焊點(diǎn)可靠性是一個(gè)需要考慮的關(guān)鍵因素。新品采用鷗翼式引腳降低貼裝應(yīng)力,提高焊點(diǎn)可靠性。

 

應(yīng)用:

- 車載設(shè)備:變頻器、半導(dǎo)體繼電器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。

 

特性:

- 新封裝L-TOGL?

- 高額定漏極電流:

XPQR3004PBID400A

XPQ1R004PBID200A

- AEC-Q101認(rèn)證

- 低導(dǎo)通電阻:

XPQR3004PBRDS(ON)0.23m?(典型值)@VGS10V

XPQ1R004PBRDS(ON)0.8m?(典型值)@VGS10V

 

主要規(guī)格:


(除非另有說(shuō)明,@Ta25℃)

器件型號(hào)

XPQR3004PB

XPQ1R004PB

極性

N溝道

N溝道

絕對(duì)最大額定值

漏極-源極電壓VDSSV

40

40

漏極電流(DCIDA

400

200

漏極電流(脈沖)IDPA

1200

600

結(jié)溫Tch(℃)

175

175

漏極-源極導(dǎo)通電阻

RDS(ON)最大值(

@VGS6V

0.47

1.8

@VGS10V

0.30

1.0

溝道到外殼熱阻Zth(ch-c)最大值

@Tc25℃(℃/W

0.2

0.65

封裝

L-TOGL?

L-TOGL?

系列

U-MOSIX-H

U-MOSIX-H

庫(kù)存查詢與購(gòu)買

在線購(gòu)買

在線購(gòu)買

 

注:

[1] 錫焊連接

[2] 大電流產(chǎn)品:采用TO-220SM(W)封裝的“TKR74F04PB

[3] 東芝提供分組出貨,每卷產(chǎn)品的柵極閾值電壓浮動(dòng)范圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。

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