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近期中國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展成為備受市場討論的議題，除了短期內(nèi)景氣向下修正之外，尚有面臨地緣政治的考驗，再加上中長期半導(dǎo)體行業(yè)的商機與技術(shù)發(fā)展，也是市場關(guān)注的焦點。
首先在短期景氣的變動方面，2023年上半年國內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)難免因終端應(yīng)用市場疲弱、庫存處于去化調(diào)整期，使得廠商的接單、產(chǎn)能利用率、報價、毛利率等數(shù)據(jù)皆不如2022年同期，而產(chǎn)業(yè)景氣呈現(xiàn)先穩(wěn)定后波動的機率較大，僅是2023年下半年國內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)景氣上升的幅度，仍有待觀察，畢竟全球經(jīng)濟情勢與通膨趨勢、烏克蘭問題、中國解封后從疫情封鎖期走出的變化，皆是牽動半導(dǎo)體行業(yè)終端需求的表現(xiàn)。
值得一提的是，2023年下半年則可期待先進制程、車用與工控應(yīng)用領(lǐng)域的成熟制程、高速信號傳輸IC、電源管理IC、車用及工控MCU、車用IC、化合物半導(dǎo)體、IC廠及晶圓代工廠檢測分析服務(wù)等業(yè)務(wù)的業(yè)績復(fù)蘇，其中在高速信號傳輸IC類別方面，由于英特爾（Intel）、超微（AMD）陸續(xù)推出支援USB 4技術(shù)的PC新平臺，同時2023年下半年iPhone也將全面改采USB-C，顯然大廠陸續(xù)導(dǎo)入Tape-C，將可望提升USB 4的滲透率，進而拉高高速傳輸IC廠商的接單。
在地緣政治的考驗上，由于美國對中國半導(dǎo)體管制有增無減、選邊站的壓力趨增、半導(dǎo)體已成為戰(zhàn)略物資、各國都想要建立半導(dǎo)體完整供應(yīng)鏈，因此半導(dǎo)體行業(yè)過去傳統(tǒng)運行的模式顯然已被地緣政治的動蕩所打破，未來全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的分布將走向區(qū)域化、本土化、多元化，甚至從長鏈朝向短鏈方向邁進。
由可看出此波美國為確?？萍及詸?quán)的絕對優(yōu)勢，藉由鉗制中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展、關(guān)鍵供應(yīng)鏈去中化、聯(lián)合盟友籌組聯(lián)盟擴大優(yōu)勢、強化美國境內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)等策略來實現(xiàn)。中國持續(xù)陷入遭到美方處處卡脖子的政策問題，欲突圍尚需由時間換取空間。
日本則是利用制定半導(dǎo)體戰(zhàn)略、美日聯(lián)手設(shè)立2nm芯片研發(fā)中心、成立Rapidus公司等方式來重振半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)；韓國期望超越中國臺灣半導(dǎo)體的芯片代工地位。至于中國臺灣部分，面對中國臺灣廠商啟動多地投資，中長期資本支出負擔與競爭力維系則為各方關(guān)注的焦點，未來更需由政府和產(chǎn)業(yè)以及學(xué)術(shù)界共同籌劃中國半導(dǎo)體業(yè)整體發(fā)展的主要戰(zhàn)略，而究竟該如何繼續(xù)扮演全球區(qū)域化供應(yīng)鏈最佳的管理者與關(guān)鍵元件或技術(shù)的生產(chǎn)者，將是中國臺灣半導(dǎo)體業(yè)的挑戰(zhàn)。
事實上，短期半導(dǎo)體行業(yè)供需調(diào)整陣痛難免，但中長期結(jié)構(gòu)性需求改變已浮現(xiàn)，主要是新興科技催生各類智慧應(yīng)用商機，未來半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用將無所不在，2030年全球半導(dǎo)體銷售額規(guī)模有機會超過9000億美元大關(guān)，若以2020～2030年終端領(lǐng)域市場規(guī)模的年復(fù)合成長率來說，汽車、工業(yè)、服務(wù)器、智能手機、PC等將依序為13％、9％、9％、6％、3％，也就是未來終端產(chǎn)品半導(dǎo)體含量提升、價值擴張，加上新興科技領(lǐng)域應(yīng)用將蓬勃發(fā)展，皆將帶動中長期整體半導(dǎo)體行業(yè)的需求。而中國臺灣廠商中長期或許可聚焦高效能、低延遲、低功耗系統(tǒng)電路，以及AI邊緣運算、量子計算機、新興異質(zhì)整合半導(dǎo)體等領(lǐng)域，借此持續(xù)提高我國在全球半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)層次，并擴大市場的版圖規(guī)模。
若以中長期半導(dǎo)體業(yè)的技術(shù)演進來說，邏輯IC先進制程將以臺積電的技術(shù)藍圖為主軸，預(yù)計2024年公司2nm將進入試產(chǎn)階段、2025年為量產(chǎn)時程，2027～2028年前可進入1.4nm的大幅量產(chǎn)，2030～2031年1nm制程的發(fā)展則指日可待；而DRAM方面，2030年前不但結(jié)構(gòu)由2D DRAM創(chuàng)新到3D DRAM之外，制程微縮上更可在2025年后進化到7～5nm，2030年前逐步達到1～3nm左右；至于NAND Flash方面，未來技術(shù)將持續(xù)往3D堆疊的型態(tài)演進，2025年后可望朝超過400層來發(fā)展，并在2030年正式超越500層。
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