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【導(dǎo)讀】氮化鎵(GaN)器件憑借自身獨(dú)特的高開(kāi)關(guān)頻率、高功率密度和高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)勢(shì)在移動(dòng)設(shè)備PD充電器市場(chǎng)找到其商用價(jià)值。華為和小米等知名品牌在手機(jī)充電器上使用GaN充電方案,可以說(shuō),GaN充電器大有替代傳統(tǒng)充電器的趨勢(shì)。
為進(jìn)一步了解GaN充電器應(yīng)用及解決方案,我愛(ài)方案網(wǎng)記者在5G&半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰會(huì)采訪深圳市芯茂微電子有限公司副總經(jīng)理龍波。
深圳市芯茂微電子有限公司副總經(jīng)理龍波
芯茂微電子是一家專(zhuān)注于AC-DC電源控制技術(shù)研究的國(guó)產(chǎn)品牌供應(yīng)商。以物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、消費(fèi)類(lèi)電子、通信、計(jì)算機(jī)、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、電力電子、醫(yī)療電子等為目標(biāo)市場(chǎng),主要聚焦在BICMOS、BCD工藝平臺(tái)進(jìn)行產(chǎn)品的研發(fā),具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“700V BCD模擬高壓混合工藝”,擁有數(shù)十項(xiàng)國(guó)內(nèi)發(fā)明專(zhuān)利及海外PCT,2010年獲得國(guó)務(wù)院頒發(fā)“國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)”、2017年獲得招商銀行“千鷹展翼最具投資潛力獎(jiǎng)”、2018年參與深圳市技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目、獲得第十三屆(2018年度)中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)大獎(jiǎng)等。
GaN充電技術(shù)將立足于市場(chǎng)
2020年可以說(shuō)是氮化鎵開(kāi)辟市場(chǎng)的一年。在作為消費(fèi)類(lèi)電子風(fēng)向標(biāo)的手機(jī)行業(yè)中,有多家知名手機(jī)品牌推出了基于手機(jī)、筆記本電腦快充的氮化鎵充電器。按此發(fā)展趨勢(shì),在未來(lái)幾年中,氮化鎵快充將作為各大主流手機(jī)廠商的標(biāo)準(zhǔn)配件。
氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體器件,近年來(lái)逐漸進(jìn)入電源應(yīng)用領(lǐng)域,相比傳統(tǒng)的硅器件,氮化鎵器件可工作在更高的開(kāi)關(guān)頻率,提升功率密度,從而帶來(lái)系統(tǒng)整體體積和重量的減小。龍波表示,采用氮化鎵(GaN)器件的便攜式充電器以體積小、重量輕、充電速度快等優(yōu)勢(shì)受到了市場(chǎng)消費(fèi)者的青睞,解決了當(dāng)下市場(chǎng)的“充電焦慮癥”。應(yīng)用GaN技術(shù),可為消費(fèi)電子市場(chǎng)提供更為緊湊、輕巧的大功率輸出USB PD充電器,利用這一新技術(shù),大部分移動(dòng)設(shè)備都可以實(shí)現(xiàn)更快速充電的目標(biāo)。
芯茂微電子涉足電源行業(yè)多年,走在市場(chǎng)前端
在2012年,芯茂微開(kāi)始跨入電源行業(yè),其優(yōu)勢(shì)在于團(tuán)隊(duì)技術(shù)多年的電源研究、人才多、有多項(xiàng)專(zhuān)利、完整的工藝、通過(guò)與美國(guó)技術(shù)企業(yè)和國(guó)內(nèi)技術(shù)大學(xué)合作研究,不斷對(duì)電源技術(shù)的探究與應(yīng)用。在對(duì)于未來(lái)電源的發(fā)展,龍總表示電源往體積更小,功率更高等方面發(fā)展,對(duì)于DSP電源也有可能往該方面發(fā)展。
談及公司今年出貨量,由于受到疫情影響,上半年出貨量受到影響,下半年電源市場(chǎng)需求旺盛,部分原因是受美國(guó)對(duì)華為的打壓因素,同時(shí)有幾家大公司在大量備貨,產(chǎn)能較緊,部分訂單已排到明年。
今年芯茂微推出的GaN充電解決方案,前期公司團(tuán)隊(duì)通過(guò)對(duì)市場(chǎng)的調(diào)查,再對(duì)GaN充電技術(shù)的探究。如今消費(fèi)電子市場(chǎng)電源快充越來(lái)越依賴,該方案克服了可生產(chǎn)性,已有多家電商公司進(jìn)行合作,已陸續(xù)出貨。
根據(jù)Yole對(duì)GaN應(yīng)用的細(xì)分市場(chǎng)預(yù)測(cè),從2019年開(kāi)始,GaN在電源應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)始快速增長(zhǎng),預(yù)計(jì)到2022年將超過(guò)2億美元,其中移動(dòng)設(shè)備快充充電器是其主要驅(qū)動(dòng)力。很多廠商和市調(diào)機(jī)構(gòu)都看好氮化鎵器件在PD充電器市場(chǎng)的增長(zhǎng)潛力。
圖:GaN器件的主要應(yīng)用市場(chǎng)增長(zhǎng)及規(guī)模,其中非汽車(chē)的電源應(yīng)用增長(zhǎng)最快。(來(lái)源:Yole)
GaN技術(shù)的發(fā)展挑戰(zhàn)
由于GaN是新材料和新技術(shù),需在市場(chǎng)推廣應(yīng)用展現(xiàn)優(yōu)勢(shì),還面臨著一定的技術(shù)困難和挑戰(zhàn)。龍波表示,在第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)中,氮化鎵充電器的最大挑戰(zhàn)主要包括:
1、器件封裝設(shè)計(jì)及散熱要求;
2、氮化鎵器件的驅(qū)動(dòng)比硅器件要求更高,需要應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng)所帶來(lái)的各種挑戰(zhàn);
3、高頻率下EMI問(wèn)題,如何優(yōu)化設(shè)計(jì)才能達(dá)到傳導(dǎo)和輻射EMI測(cè)試要求;
4、器件及系統(tǒng)可靠性;
5、如何實(shí)現(xiàn)不同的器件(電阻、電容和二極管等)的單片工藝整合;
6、應(yīng)用成熟度上還需對(duì)GaN的設(shè)計(jì)與調(diào)試進(jìn)行經(jīng)驗(yàn)積累;
7、 PCB布局。
對(duì)于GaN充電器的發(fā)展展望
龍波認(rèn)為目前的第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)處于摸索研究階段,公司將不斷研究,通過(guò)國(guó)內(nèi)大學(xué)、國(guó)外企業(yè)的合作研究,不斷突破GaN技術(shù)瓶頸,這也將是一個(gè)重大過(guò)程。
隨著GaN技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用,在未來(lái)的電源市場(chǎng)中,GaN充電技術(shù)將逐漸取代傳統(tǒng)充電器,讓我們拭目以待!